参考电路图:
・高精度电阻采样和温度保护
・检测范围和精度@25℃
过充保护- VDET1 : ±10mV ,
4.2 to 4.6V
(Ta=0℃~50℃)
过放保护- VDET2 : ±2% , 2.0V
to 3.0V
放电过流- VDET3 : ±3mV
, 0.015V to 0.030V
±10% ,
0.031V to 0.050V
±5mV ,
0.051V to 0.150V
充电过流- VDET4
:
±8mV , -0.150V
to -0.015V
短路保护- Vshort
: ±5mV ,
0.040V to 0.300V
温度保护- TDET1,2
: ±3℃ , 50℃ to 85℃
・输出延时
- tVdet1 : 1.0s(固定值)
- tVdet2 : 16ms, 32ms, 128ms(可调整)
- tVdet3 : 8ms, 16ms, 32ms, 128ms, 256ms, 512ms,
1024ms, 3072ms(可调整)
- tVdet4 : 8ms(固定值)
- tshort
: 280us
- tTDET
: 128ms, 256ms, 512ms, 1024ms(可调整)
・可选择功能(金属掩膜选项)
-0V
Charge 允许 / 禁止
・封装 WLCSP-8(1.51mm×0.92mm,
thickness=0.28+0.08mm)
温度检测
TDET1 50℃~85℃ step
of
5℃
(可调整)
精度 : ±3℃*Note
迟滞 : 5℃
检测延时: 128ms, 256ms, 512ms, 1024ms (可调整)
恢复延时: 128ms (固定值)
输出控制Pin : Cout
当温度上升到TDET1,
Cout 输出低电平
TDET2 50℃~85℃ step
of 5℃
(可调整)
精度 : ±3℃*Note
迟滞: 5℃
检测延时: 128ms, 256ms, 512ms, 1024ms (可调整)
恢复延时: 128ms (固定值)
输出控制Pin : Dout
当温度上身到TDET2,
Dout 输出低电平.
参考规格书:
20181228141378817881